抛光机夹持住硅晶片，接着放入纳米二氧化铈粉末抛光液，最后，按下启动按钮。
机器开始运转。
顾律抱着胳膊，双眼紧盯着仪器。
同时，脑海中不停回忆着在普林斯顿大学图书馆中，看过关于这方面的内容。
在单硅晶片的化学机械抛光过程中，是主要存在化学腐蚀作用和机械磨削作用。
材料的去除，首先源于化学腐蚀作用。一方面，在抛光过程中，硅片表面局部接触点产生高温高压，从而导致一系列复杂的摩擦化学反应。
纳米二氧化铈抛光液，其具有较高碱性组分和较柔软的纳米磨料颗粒。
在这两者作用下，使硅片表面形成腐蚀软质层，从而有效地减弱磨料对硅片基体的刻划作用，提高抛光效率和抛光表面质量，相应的，提高抛光后硅晶片的精度。
…………
半个小时的时间，一晃眼就过去。
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